半導(dǎo)體市場乍暖還寒
自半導(dǎo)體行業(yè)步入下行周期以來，市場行情走勢從“量價齊升”轉(zhuǎn)為“量增價跌” 的局面，相關(guān)廠商不得不實施庫存調(diào)整、減產(chǎn)等策略多管齊下，力求供需平衡。
隨著原廠大幅減產(chǎn)，智能手機、PC等終端應(yīng)用陸續(xù)回穩(wěn)重啟拉貨潮，帶動存儲芯片市況谷底翻揚。
業(yè)界認為，從明年來看，存儲芯片、硅晶圓、MCU等領(lǐng)域走線不一，但將殊途同歸，在不久的將來半導(dǎo)體行業(yè)或迎來上升。
近日，據(jù)中國臺灣經(jīng)濟日報報道，西部數(shù)據(jù)對客戶發(fā)出漲價通知信，并預(yù)期未來幾季NAND芯片價格會周期性上漲，累計漲幅可能比當前報價高五成以上、達55%。
前十大晶圓代工業(yè)者排名出爐
根據(jù)TrendForce集邦咨詢研究，隨著終端及IC客戶庫存陸續(xù)消化至較為健康的水位，及下半年iPhone、Android陣營推出新機等有利因素，帶動第三季智能手機、筆電相關(guān)零部件急單涌現(xiàn)，但高通脹風(fēng)險仍在，短期市況依舊不明朗，故此波備貨僅以急單方式進行。此外，臺積電（TSMC）、三星（Samsung）3nm高價制程貢獻營收亦對產(chǎn)值帶來正面效益，帶動2023年第三季前十大晶圓代工業(yè)者產(chǎn)值為282.9億美元，環(huán)比增長7.9%。

其中，臺積電（TSMC）第三季營收環(huán)比增長10.2%，達172.5億美元；三星晶圓代工事業(yè)（Samsung Foundry）第三季營收達36.9億美元，環(huán)比增長14.1%；格芯（GlobalFoundries）與第二季相近，約18.5億美元；中芯國際（SMIC）第三季營收環(huán)比增長3.8%，達16.2億美元；英特爾IFS第三季營收環(huán)比增長約34.1%，約3.1億美元。
Q3存儲產(chǎn)業(yè)營收回顧
根據(jù)TrendForce集邦咨詢調(diào)查顯示，2023年第三季DRAM產(chǎn)業(yè)合計營收達134.80億美金，季成長率約18.0%；第三季NAND Flash位元出貨量環(huán)比增長3%，整體合并營收來到92.29億美元，環(huán)比增長幅度約2.9%。

具體來看，在第三季中，DRAM方面，三星（Samsung）DRAM營收季增幅度約15.9%，約52.50億美元；SK海力士（SK hynix）營收約46.26億美元，季增幅度達34.4%；美光（Micron）營收季增幅度約4.2%，達30.75億美元。

NAND Flash方面，三星第三季NAND Flash營收為29.0億美元，持平第二季；鎧俠（Kioxia）營收下跌至13.4億美元，環(huán)比減少8.6%；美光（Micron）第三季營收小幅下滑至11.5億美元，環(huán)比減少5.2%；SK集團（SK hynix & Solidigm）第三季NAND Flash營收約18.6億美元，環(huán)比增長11.9%；西部數(shù)據(jù)NAND Flash部門營收達15.56億美元，環(huán)比增長13.0%
半導(dǎo)體IPO新進展
今年8月27日，國內(nèi)證監(jiān)會發(fā)布優(yōu)化IPO、再融資監(jiān)管安排，稱“根據(jù)近期市場情況，階段性收緊IPO節(jié)奏，促進投融資兩端的動態(tài)平衡”，同時還對上市公司再融資行為作出部分條件限制。在上述規(guī)定發(fā)布后，據(jù)全球半導(dǎo)體觀察不完全統(tǒng)計，8月27日至12月2日期間，滬深北三地交易所合計受理42家，而在10月、11月滬深兩地交易所罕見出現(xiàn)“零受理”的情況。
近期，京儀裝備、功率半導(dǎo)體廠商鉅芯科技、熱場材料商奧億達、SiC設(shè)備商優(yōu)晶科技、電子器件提供商盛景微、康希通信、電子特氣廠商博純材料、國產(chǎn)干膜光刻膠供應(yīng)商初源新材8家企業(yè)IPO再有新動態(tài)。
11月29日，京儀裝備在上海證券交易所科創(chuàng)板上市。首次公開發(fā)行數(shù)量為4200萬股，發(fā)行價為31.95元/股，上市當日開盤價為60.12元/股，市值超百億，募集資金總額為13.42億元，用于集成電路制造專用裝備研發(fā)基地項目和補充流動資金。
11月17日， 康希通信在上海證券交易所科創(chuàng)板上市。康希通信本次IPO公開發(fā)行股票1629萬股，發(fā)行價格10.5元，募集資金總額為6.68億元
一文了解CXL 3.1
目前業(yè)界對于CXL的熟識程度遠遠不及PCI-e、HBM等新型存儲技術(shù)，主要是因為目前PCIe還有其適用性，而歸根結(jié)底是因為該技術(shù)發(fā)展過于新、發(fā)展過于迅速。CXL全稱Compute Express Link，是一個全新的得到業(yè)界認同的互聯(lián)技術(shù)標準，其可以有效解決內(nèi)存墻和IO墻的瓶頸。PCI-e技術(shù)是CXL技術(shù)的底層基礎(chǔ)，CXL則可視為PCI-e技術(shù)的再提高版本，并且，CXL延伸了更多變革性的功能。
2019年至今，CXL已經(jīng)發(fā)表了1.0/1.1、2.0、3.0/3.1五個不同的版本，CXL2.0內(nèi)存的池化（Pooling）功能較好的實現(xiàn)了以內(nèi)存為中心的構(gòu)想；CXL3.0則實現(xiàn)Memory sharing（內(nèi)存共享）和內(nèi)存訪問，在硬件上實現(xiàn)了多機共同訪問同樣內(nèi)存地址的能力；而CXL3.1，則具備開啟更多對等通信通道的能力，實現(xiàn)了對內(nèi)存和存儲的獨立分離，形成獨立的模塊。并且新規(guī)范將支持目前仍在研發(fā)中的DDR6內(nèi)存。